您好，欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线：0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：8-SOP 高级
  • 批号：--
  • 数量：5,000 - 立即发货
  • 价格：8.281
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    60V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    60A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    2.3 毫欧 @ 30A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    72nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    6100pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    78W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服