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SSM6N35FE(TE85L,F)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：ES6（1.6x1.6）
  • 批号：--
  • 数量：6,397 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SSM6N35FE(TE85L,F)

SSM6N35FE(TE85L,F)

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    2 个 N 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    180mA

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    3 欧姆 @ 50mA，4V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    9.5pF @ 3V

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-563，SOT-666

  • 产品简介说明

    MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6

  • 产品描述备注

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