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SI4910DY-T1-E3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：8-SOIC N
  • 批号：--
  • 数量：2,673 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 N 沟道（双）

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    7.6A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    27 毫欧 @ 6A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    32nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    855pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    3.1W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

  • 产品描述备注

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