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SI1965DH-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：SC-70-6 （SOT-363）
  • 批号：--
  • 数量：7,112 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 P 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    12V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.3A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    390 毫欧 @ 1A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    4.2nC @ 8V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    120pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    1.25W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 产品简介说明

    MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

  • 产品描述备注

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