您好，欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线：0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> SH8M11TB1

SH8M11TB1

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：8-SOP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.827
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SH8M11TB1

SH8M11TB1

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    3.5A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    98 毫欧 @ 3.5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    1.9nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    85pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH/P-CH 30V 3.5A 8SOP

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服