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QS8J4TR
QS8J4TR
- 厂家:Rohm Semiconductor
- 封装:TSMT8
- 批号:--
- 数量:5,725 - 立即发货
- 价格:询价
- 类型:FET - 阵列
- PDF:

QS8J4TR
- 包装
Digi-Reel? 可替代的包装
- 系列
-
- FET 类型
2 个 P 沟道(双)
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
4A
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
56 毫欧 @ 4A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
13nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
800pF @ 10V
- 功率 - 最大值
550mW
- 安装类型
*
- 封装/外壳
8-SMD,扁平引线
- 产品简介说明
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT8
- 产品描述备注