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NTJD1155LT1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    8V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.3A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    175 毫欧 @ 1.2A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    400mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

  • 产品描述备注

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