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HGT1S3N60A4DS9A

  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 封装：TO-263AB
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：IGBT - 单路
  • PDF：HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    -

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    600V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    17A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    40A

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，3A

  • 功率 - 最大值

    70W

  • Switching Energy

    37μJ （开）， 25μJ （关）

  • 输入类型

    标准

  • Gate Charge

    21nC

  • 25°C 时 Td（开/关）值

    6ns/73ns

  • Test Condition

    390V, 3A, 50 欧姆, 15V

  • 反向恢复时间 (trr)

    29ns

  • 封装/外壳

    TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • 安装类型

    表面贴装

  • 产品简介说明

    IGBT 600V 17A 70W D2PAK

  • 产品描述备注

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