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GT10J312(Q)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：TO-220SM
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：IGBT - 单路
  • PDF：GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    -

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    600V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    10A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    20A

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，10A

  • 功率 - 最大值

    60W

  • Switching Energy

    -

  • 输入类型

    标准

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 时 Td（开/关）值

    400ns/400ns

  • Test Condition

    300V， 10A， 100 欧姆， 15V

  • 反向恢复时间 (trr)

    200ns

  • 封装/外壳

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 安装类型

    表面贴装

  • 产品简介说明

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • 产品描述备注

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