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DMN2016UTS-13

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：8-TSSOP
  • 批号：--
  • 数量：2,486 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    2 N 沟道（双）共漏

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    8.58A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    16.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1495pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    880mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

  • 产品描述备注

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