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DMG6601LVT-7

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：TSOT-26
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    3.8A，2.5A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    55 毫欧 @ 3.4A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    12.3nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    422pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    850mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

  • 产品描述备注

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