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CSD88539ND

  • 厂家：Texas Instruments
  • 封装：8-SOIC
  • 批号：--
  • 数量：2,500 - 立即发货5,000 - 厂方库存
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：CSD88539ND

CSD88539ND

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    NexFET??

  • FET 类型

    2 个 N 通道（半桥）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    60V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    15A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    28 毫欧 @ 5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3.6V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    9.4nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    741pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    2.1W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    FET 2N-CH DUAL 60V 15A 8SOIC

  • 产品描述备注

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