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CSD86350Q5D
CSD86350Q5D
- 厂家:Texas Instruments
- 封装:8-SON(5x6)
- 批号:--
- 数量:11,516 - 立即发货
- 价格:询价
- 类型:FET - 阵列
- PDF:

CSD86350Q5D
- 包装
Digi-Reel? 可替代的包装
- 系列
NexFET??
- FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
40A
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 20A,8V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
10.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
1870pF @ 12.5V
- 功率 - 最大值
13W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-LDFN 裸露焊盘
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
- 产品描述备注