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CSD85312Q3E

  • 厂家：Texas Instruments
  • 封装：8-SON（3.3x3.3）
  • 批号：--
  • 数量：2,480 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    NexFET??

  • FET 类型

    2?N 沟道（双）共源

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，5V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    39A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    12.4 mOhm @ 10A, 8V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    15.2nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    2390pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2.5W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

  • 产品描述备注

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