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CSD16327Q3
CSD16327Q3
- 厂家:Texas Instruments
- 封装:8-SON-EP(3.3x3.3)
- 批号:--
- 数量:2,500 - 立即发货15,000 - 厂方库存
- 价格:3.071
- 类型:FET - 单
- PDF:

CSD16327Q3
- 包装
带卷 (TR) 可替代的包装
- 系列
NexFET??
- FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
60A (Tc)
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 24A,8V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
8.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
1300pF @ 12.5V
- 功率 - 最大值
3W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 产品描述备注