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APTC60DAM35T1G
APTC60DAM35T1G
- 厂家:Microsemi Power Products Group
- 封装:SP1
- 批号:--
- 数量:电询
- 价格:询价
- 类型:FET - 模块
- PDF:
![APTC60DAM35T1G](/Resources/ProdPdfs/datasheet.png)
APTC60DAM35T1G
- 包装
散装
- 系列
-
- FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
72A
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
35 毫欧 @ 72A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 5.4mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
518nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
14000pF @ 25V
- 功率 - 最大值
416W
- 安装类型
底座安装
- 封装/外壳
SP1
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
- 产品描述备注