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3LN01C-TB-H

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：3-CP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.696
  • 类型：FET - 单
  • PDF：3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，2.5V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    150mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    3.7 欧姆 @ 80mA，4V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    1.58nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    7pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    250mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

  • 产品描述备注

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